سامسونگ اعلام کرد که اولین ماژول حافظه 512 گیگابایتی DDR5 در صنعت را با سرعت پین حداکثر 7.2 گیگابیت بر ثانیه توسعه داده است.
سامسونگ از ماژول های حافظه بسیار سریع DDR5-7200 با ظرفیت 512 گیگابایت رونمایی کرد که بعداً وارد تولید انبوه می شود
راه حل حافظه DDR5 ارائه شده توسط سامسونگ در چهار جنبه زیر عملکرد ، سرعت ، ظرفیت و قدرت را نسبت به DDR4 بهبود می بخشد. همانطور که توسط سامسونگ اشاره شد ، تقاضای مداوم برای افزایش ظرفیت و عملکرد در بخش مرکز داده وجود دارد. با DDR5 DRAM ، سامسونگ همه چیز را به سطح بعدی می برد.
سامسونگ آخرین تکرار ماژول های حافظه DDR5 را برای بخش مرکز داده با ظرفیت 512 گیگابایت توسعه داده است. این امر با اجرای یک طرح DRAM 8 پشته ای که دارای یک پشته 8-Hi TSV (Through-Silicon-Vias) است ، به دست می آید. اندازه پشته 1.0 میلی متر است و در مجموع 20 پشته روی ماژول حافظه وجود دارد که به دو کانال اصلی جدا شده اند. پشته های DDR5 TSV همچنین با استفاده از روش جابجایی نازک ویفر ، فاصله بین قالب ها را تا 40 درصد کاهش می دهد. همچنین فناوری های کلیدی مانند اتصال بدون خطا برای TSV و قابلیت خنک کننده بهتر با امپدانس جریان هوا کمتر اجرا شده است.
سامسونگ همچنین از سریعترین سرعت حافظه با DDR5 با سرعت 7200 مگابیت بر ثانیه در ولتاژ 1.1 ولت خبر می دهد. بهبودهای کلی شامل 40٪ عملکرد بالاتر ، 2.2 برابر سرعت سریعتر ، دو برابر ظرفیت حافظه ، همه در 0.92x ولتاژ DDR4 است. در مقایسه با DDR4 ، DDR5 راندمان باس 18 درصد بالاتر را ارائه می دهد. راندمان بالاتر از طریق PMIC (Power Management In-Chip) به دست می آید. PMIC دماغه را برای عملکرد با ولتاژ پایین کاهش می دهد و سامسونگ همچنین از یک فرایند دروازه High-K Metal استفاده می کند که اولین مورد برای DRAM EDP (پردازش داده های الکترونیکی) است.
برخی از ویژگی های حافظه مرکز داده شامل ECC در حال مرگ ، بهبود میزان خطای بیت است که منجر به پردازش مطمئن تر و مطمئن تر اطلاعات می شود. سامسونگ می گوید که در 512 گیگابایت DDR5 متوقف نمی شود. آنها همچنین به ماژول های حافظه DDR5 با ظرفیت ترابایت برای سرورهای نسل بعدی اشاره کرده اند و انتظار دارند که DDR5 استاندارد رایانهای اصلی تا سال 2023-2024 باشد.
